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钨及钨合金溅射靶
溅射靶材是在溅射镀膜过程中，高速带电粒子所轰击的材料。可以通过调整靶材的种类，来得到不同的薄膜体系，如al、cu、ta、ti、w等。
高纯钨靶材
在半导体工业中，钨薄膜主要用作构成电子部件的材料，例如栅电极或布线材料。这些电子部件的集成度、可靠性、功能特性和处理速度等要求日益增加。钨具有低电阻、高耐热等特性，广泛用于这些电子部件中，并且很好的满足了上述需求。钨薄膜可通过物理气相沉积（pvd）技术制备得到，即通过溅射具有高密度高纯钨靶材而获得。
钨钛靶材
钨钛（wti）薄膜在半导体和光伏电池行业中可用作al和si之间有效的扩散阻挡层，其主要通过物理气相沉积（pvd）技术、通过磁控溅射wti合金靶材而获得。行业中希望获取高性能的wti合金靶材，即溅射过程中产生的颗粒数少、得到的薄膜均一性高并且具有优良电性能的靶材。为了满足复杂集成电路扩散阻挡层可靠性的要求，wti合金靶材必须具有高纯度和高密度的特性。
钨硅靶材
钨硅靶材通过物理气相沉积技术（pvd）制备得到钨硅薄膜，应用在半导体、特别是存储器，如dram中，充当有效的栅极欧姆接触层。半导体领域用的钨硅靶材在纯度、组织结构控制以及靶材组件整体品质一致性等方面具有十分严格的要求，其对薄膜的性能起着至关重要的影响。我司制备的钨硅靶材具有纯度高（5n）、致密性优良（≥99%）、组织均匀且晶粒细小的优势。
此外，厦门虹鹭还可提供wni、wc等靶材；同时，可以根据客户的实际需求进行靶材产品的设计开发。
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